开关电源调试时最常见的10大问题
一、变压器饱满
变压器饱满现象：在高压或低压输入下开机(包含轻载，重载，容性负载)，输出短路，动态负载，高温等情况下，经过变压器(和开关管)的电流呈非线性增长，当呈现此现象时，电流的峰值无法预知及操控，或许导致电流过应力和因此而产生的开关管过压而损坏。
1、简略产生饱满的情况：
（1）变压器感量太大；
（2）圈数太少；
（3）变压器的饱满电流点比IC的最大限流点小；
（4）没有软发动。
2、处理办法：
（1）下降IC的限流点；
（2）加强软发动，使经过变压器的电流包络更缓慢上升。
二、Vds过高
1、Vds的应力要求：
最恶劣条件(最高输入电压，负载最大，环境温度最高，电源发动或短路测试)下，Vds的最大值不应超越额定规格的90%
2、Vds下降的办法：
（1）减小渠道电压：减小变压器原副边圈数比；
（2）减小尖峰电压：
a、减小漏感：
变压器漏感在开关管开通是存储能量是产生这个尖峰电压的首要原因，减小漏感可以减小尖峰电压。
b、调整吸收电路：
①运用TVS管；
②运用较慢速的二极管，其本身可以吸收必定的能量(尖峰)；
③刺进阻尼电阻可以使得波形愈加平滑，利于减小EMI。
三、IC温度过高
原因及处理办法：
1、内部的MOSFET损耗太大：
开关损耗太大，变压器的寄生电容太大，形成MOSFET的开通、关断电流与Vds的穿插面积大。处理办法：添加变压器绕组的距离，以减小层间电容，好像绕组分多层绕制时，层间加入一层绝缘胶带(层间绝缘)。
2、散热不良：
IC的很大一部分热量依靠引脚导到PCB及其上的铜箔，应尽量添加铜箔的面积并上更多的焊锡
3、IC周围空气温度太高：
IC应处于空气流动畅顺的当地，应远离零件温度太高的零件。
四、空载、轻载不能发动
1、现象：
空载、轻载不能发动，Vcc重复从发动电压和关断电压来回跳动。
2、原因：
空载、轻载时，Vcc绕组的感应电压太低，而进入重复重发动状况。
3、处理办法：
添加Vcc绕组圈数，减小Vcc限流电阻，恰当加上假负载。假如添加Vcc绕组圈数，减小Vcc限流电阻后，重载时Vcc变得太高，请参照安稳Vcc的办法。
五、发动后不能加重载
原因及处理办法：
1、Vcc在重载时过高
重载时，Vcc绕组感应电压较高，使Vcc过高并到达IC的OVP点时，将触发IC的过压维护，引起无输出。假如电压进一步升高，超越IC的承受能力，IC将会损坏。
2、内部限流被触发
a、限流点太低
重载、容性负载时，假如限流点太低，流过MOSFET的电流被约束而缺乏，使得输出缺乏。处理办法是增大限流脚电阻，进步限流点。
b、电流上升斜率太大
上升斜率太大，电流的峰值会更大，简略触发内部限流维护。处理办法是在不使变压器饱满的前提下进步感量。
六、待机输入功率大
1、现象：
Vcc在空载、轻载时缺乏。这种情况会形成空载、轻载时输入功率过高，输出纹波过大。
2、原因：
输入功率过高的原因是，Vcc缺乏时，IC进入重复发动状况，频繁的需求高压给Vcc电容充电，形成起动电路损耗。假如发动脚与高压间串有电阻，此刻电阻上功耗将较大，所以发动电阻的功率等级要足够。电源IC未进入BurstMode或现已进入BurstMode，但Burst频率太高，开关次数太多，开关损耗过大。
3、处理办法：
调理反应参数，使得反应速度下降。
七、短路功率过大
1、现象：
输出短路时，输入功率太大，Vds过高。
2、原因：
输出短路时，重复脉冲多，一起开关管电流峰值很大，形成输入功率太大过大的开关管电流在漏感上存储过大的能量，开关管关断时引起Vds高。输出短路时有两种或许引起开关管中止作业：
（1）触发OCP这种办法可以使开关动作当即中止
a、触发反应脚的OCP；
b、开关动作中止；
c、Vcc下降到IC封闭电压；
d、Vcc从头上升到IC发动电压，而从头发动。
（2）触发内部限流
这种办法产生时，约束可占空比，依靠Vcc下降到UVLO下限而中止开关动作，而Vcc下降的时刻较长，即开关动作坚持较长时刻，输入功率将较大。
a、触发内部限流，占空比受限；
b、Vcc下降到IC封闭电压；
c、开关动作中止；
d、Vcc从头上升到IC发动电压，而从头发动。
3、处理办法：
（1）削减电流脉冲数，使输出短路时触发反应脚的OCP，可以使开关动作敏捷中止作业，电流脉冲数将变少。这意味着短路产生时，反应脚的电压应该更快的上升。所以反应脚的电容不行太大；
（2）减小峰值电流。
八、空载，轻载输出纹波过大
1、现象：
Vcc在空载或轻载时缺乏。
（1）原因：
Vcc缺乏时，在发动电压(如12V)和关断电压(如8V)之间振动IC在周期较长的间歇作业，短时刻供给能量到输出，接着中止作业较长的时刻，使得电容存储的能量缺乏以坚持输出安稳，输出电压将会下降。
（2）处理办法：
确保任何负载条件下，Vcc可以安稳供应。
2、现象：
BurstMode时，间歇作业的频率太低，此频率太低，输出电容的能量不能坚持安稳。
处理办法：
在满足待机功耗要求的条件下稍微进步间歇作业的频率，增大输出电容。
九、重载、容性负载不能发动
1、现象：
轻载可以发动，发动后也可以加重载，可是重载或大容性负载情况下不能发动。
2、一般规划要求：
无论重载还是容性负载(如10000uF)，输入电压最低还是最低，20mS内，输出电压必须上升到安稳值。
3、原因及处理办法(确保Vcc在正常作业规模内的前提下)：
下面以容性负载C=10000uF为例进行剖析，按规格要求，必须有足够的能量使输出在20mS内上升到安稳的输出电压(如5V)。
E=0.5*C*V^2
电容C越大，需求在20mS内从输入传输到输出的能量更大。
以芯片FSQ0170RNA为例阴影部分总面积S便是所需的能量。要添加面积S，办法是：
（1）增大峰值电流限流点I_limit，可答应流过更大电感电流Id：将与Pin4相接的电阻增大，从内部电流源Ifb分流更小，使作为电流约束参考电压的PWM比较器正输入端的电压将上升，即答应更大的电流转过MOSFET/变压器，可以供给更大的能量。
（2）发动时，添加传递能量的时刻，即延伸Vfb的上升时刻(抵达OCP维护点前)。
对这款FSQ0170RNA芯片，电感电流操控是以Vfb为参考电压的，Vfb电压的波形与电感电流的包络成正比。操控Vfb的上升时刻即可操控电感包络的上升时刻，即添加传递能量的时刻。IC的OCP功能是检测Vfb到达Vsd(如6V)完成的。所以要下降Vfb斜率，就可以延伸Vfb的上升时刻。输出电压未到达正常值时，假如反应脚电压Vfb现已上升到维护点，传递能量时刻不够。重载、容性负载发动时，输出电压树立较慢，加到光耦电压较低，经过光耦二极管的电流小，光耦光敏管高阻态(趋向关断)的时刻较长。IC内部电流源给与反应脚相接的电容充电较快，假如Vfb在这段时刻内上升到维护点(如6V)，MOSFET将关断。输出不能到达正常值，发动失利。
处理办法：
使输出电压到达正常值时，反应脚电压Vfb依然小于维护点。使Vfb远离维护点而缓慢上升，或延伸反应脚Vfb上升到维护点的时刻，即下降Vfb的上升斜率，使输出有足够的时刻上升到正常值。
A、增大反应电容(C9)，可以将Vfb的上升斜率下降，如图所示，由D线变成A线。可是反应电容太大会影响正常作业状况，下降反应速度，使输出纹波变大。所以此电容不能变化太大。
B、因为A办法有缺乏，将一个电容(C7)串连稳压管(D6，3.3V)并联到反应脚。此法不会影响正常作业，如B线所示，当Vfb<3.3V时，稳压管不会导通，分流。上升3.3V时，稳压管进入稳压状况，电容C7开端充电分流，减小后续Vfb的上升斜率。C。在431的K-A端并联一个电容(C11)，电源发动时，C11电压较低，并由光耦二极管和431的偏置电阻R10进行充电。这样光耦就有较大电流转过，使光耦光敏管阻抗较低而分流，Vfb将缓慢上升，如C线所示。R10×C11影响充电时刻，也就影响输出的上升时刻。
注意点：
①添加反应脚电容(包含稳压管串电容)，对处理超大容性负载问题效果较小；
②增大峰值电流限流点I_limit，一起也添加了稳态下的OCP点。需求在容性负载，输入最低情况下查看变压器是否会饱满；
③假如要坚持限流点，须使R10×C11更大，但在超大容性负载(10000uF)情况下，或许会添加5Vsb的上升时刻超越20mS，此法需求查看动态呼应是否受太大影响；
④431的偏置电阻R10太小，431并联的C11要更大；
⑤为了确保上升时刻，增大OCP点和增大R10×C11办法或许要一起运用。
十、空载、轻载输出反跳
1、现象：
在输出空载或轻载时，封闭输入电压，输出(如5V)或许会呈现如下图所示的电压反跳的波形。
2、原因：
输入关掉时，5V输出将会下降，Vcc也跟着下降，IC中止作业，可是空载或轻载时，巨大的PC电源大电容电压并不能快速下降，依然可以给高压发动脚供给较大的电流使得IC从头发动，5V又从头输出，反跳。
3、处理办法：
在发动脚串入较大的限流电阻，使得大电容电压下降到依然比较高的时候也缺乏以供给足够的发动电流给IC。将发动接到整流桥前，发动不受大电容电压影响。输入电压关断时，发动脚电压可以敏捷下降。
